如下圖所示，是積體電路遭受靜電放電轟擊後，所拍攝下之掃描式電子顯微鏡照片， 可明顯地看到靜電放電電流造成電晶體元件的燒毀現象。由於一般商用積體電路須 達到2000 伏特人體放電模式之靜電放電耐受度，因此，積體電路須搭配適當的靜電 放電防護設計，以避免積體電路遭受靜電放電的威脅與破壞。 esd-1. esd-2 ...
為了避免積體電路在生產過程中被靜電放電所損傷，. 在積體電路內皆有製作靜電 放電防護電路。靜電放電防護. 電路是積體電路上專門用來做靜電放電防護之用的 特殊電. 路，此靜電放電防護電路提供了ESD電流路徑，以免ESD. 放電時電流流入IC 內部電路而造成損傷。在本章中，會對. 防護元件的設計原理，以及防護電路所常使用 的 ...
ESD電壓跨在VDD與VSS電源線之間，一先前的防護設計 顯示在圖7.2.2-1中。 圖7.2.2-1 先前技術所設計的VDD與VSS電源線間之ESD拑制電路 一大尺寸的閘極接地(Gate-Grounded) 的NMOS元件連 ...
互補式金氧半積體電路之靜電放電防護. ESD (Electrostatic Discharge) Protection in CMOS Integrated Circuits. Fig1-0.GIF. 靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多數的. 電子元件或電子系統受到過度電性應力(Electrical ... 而靜電放電破壞的產生，多是由於人為因素所形成，. 但又很難避免。電子元件或系統在製造、生產、 ...
供了ESD電流路徑，以免ESD放電時，靜電電流流入IC內. 部電路而造成損傷。人體放電模式(HBM)與機器放電模式. (MM)之ESD來自外界，所以ESD防護電路都是做在銲墊. PAD的旁邊。在輸出PAD，其輸出級大尺寸的PMOS及. NMOS元件本身便可當做ESD防謢元件來用，但是其佈局. 方式必須遵守Design Rules中有關ESD佈局方面 ...
晶焱科技的研發團隊，從1992年起便開始從事IC的靜電放電防護設計技術的研究，而 隨著時間的演進，靜電放電防護設計技術的研究範圍也跟著拓展至各式各樣的電子 產品上。晶焱科技的研發團隊的研發目標很簡單也很清楚，就是提供各式各樣適合各 式各樣電子產品的靜電放電防護設計方案與技術，使電子產品具有完整的靜電放電 ...
潛在性損害無法當場確認，有時是當使用者在保固期內使用時才會發現。可以立即注意到的故障，是最容易可以檢測到，只要在電子產品出廠前將其檢測出來，客戶就永遠不會碰到。但ESD導致電子產品出現的暫時性故障或潛在故障是很常見且很難檢測或 ...
2015年9月18日 ... 對於大部分工程師來說，ESD是一種挑戰，不僅要保護昂貴的電子元件不被ESD損毀 ，還要保證萬一出現ESD事件後系統仍能繼續運行。這就需要對ESD衝擊時發生了 什麼做深入的了解，才能設計出正確的ESD保護電路。 我們的手都曾有過靜電放電（ ESD）的體驗，即使只是從地毯上走過然後觸摸某些金屬部件也會在 ...
ESD 保护功能电路与微控制器或内核芯片. 组的集成变得越发困难，而且成本也更加 . 昂贵。下面将阐明这一点。 系统级ESD 保护可以采用分立的二极管或. 电容器来 实现。然而在许多应用中，分立. 型解决方案不仅占用板级空间和导致布局. 复杂化， 而且在高数据速率条件下还会牺. 牲信号的完整性。德州仪器的独立型ESD. 器件则 提供 ...
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