四、場效電晶體原理. 1. 電晶體簡介. 2. MOSFET的操作原理(定性的描述）. 3. MOSFET的電流電壓特性與大訊號模型. 4. 臨界電壓. 5. MOSFET的種類. 6. MOSFET的2nd order effect. 7. JFET. 半導體物理與元件5-2. 中興物理孫允武. 電晶體簡介. 電晶體(transistor)是近代電子電路的核心元件，他的主要功能是做電流的開. 關，就如同控制 ...
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2 金氧半場效電晶體的操作原理 2.1 金氧半場效電晶體的核心 2.1.1 累積 2.1.2 空乏 2.1.3 反型 2.2 金氧半場效電晶體的結構 ... 功率金氧半場效電晶體（Power MOSFET ）和前述的金氧半場效電晶體元件在結構上就有著顯著的差異。一般 ...
一方面與這裡的多數載子電洞發生複合，另一方面，由於基極區域摻雜程度低、物理 ... :34 如果需要更高的精確度，就必須慮及雙極性電晶體中的結電容 效應帶來的影響。當訊號電壓的頻率達到一定程度後，電流的放大倍數將會下降 ...
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路 ...
MOS元件原理及參數介紹MOS製程可以分成以下三種：pMOS、nMOS和CMOS。 ... 阻值，Mosfet晶片技術上朝高集積度邁進，在製程演進上，TRENCH DMOS以其較 ...
MOSFET — 直流參數 崩潰電壓 B VDSS ： 此為汲極端–源極端所能承受電壓值，主要受制內部逆向二極體的耐壓 ... 為了降低導通電阻值，Mosfet 晶片技術上朝高集積度邁進，在製程演進上，TRENCH DMOS ...
表3.1.1 為N 通道增強型MOSFET，各種狀態下的電流電壓公式。 Kn稱為導電參數( Conduction Parameter)=μn×Cox×W. 2×L. ，W:通道寬度、L:通道長. 度、COX:單位 ...
FET可分為MOSFET與JFET，MOSFET可分為增強型與空乏型。 之夾止飽和電流ID = k×( ..... 代入夾止飽和區輸出電流公式，可得ID = k×(VGS. VGS t ) 。 由輸出迴路， ...
數位電路可以只含MOSFET，不用電阻及二極體，所以可以製成高密 ... vDS>vDS( sat) ：飽和區：理想MOSFET 有固定之D 極電流 .... 利用二次方程式的求解公式.
