退火（Annealing）在冶金學或材料工程中，是一種改變材料微結構且進而改變如硬度和強度等機械性質的熱處理。 過程為將金屬加溫到某個高於再結晶溫度的某一溫度並維持此溫度一段時間，再將其緩慢冷卻。
本會緣於台灣光電與半導體設備產業協會(TOSEA)，成立於2005年12月14日，並於2010年6月完成更名為台灣電子設備協會(TEEIA)，為一非營利目的之產業同業組織。主要是推廣台灣電子、光電、半導體、顯示器、觸控面板、有機發光顯示器、太陽能電池、光電 ...
常見的機械專有名詞, 機械專有名詞解釋 機械專有名詞字典 模具專有名詞解釋與翻譯, CAE 電腦輔助工程 MEMS微機電系統 NANOTECH ... English 中文翻譯 英文縮寫 C Cable 電纜 Caliper - Gauge caliper 卡尺, 游標卡尺; 卡鉗
退火（Annealing）在冶金學或材料工程中，是一種改變材料微結構且進而改變如硬度和強度等機械性質的熱處理。 過程為將金屬加溫到某個高於再結晶溫度的某一温度並維持此溫度一段時間，再將其緩慢冷卻。退火的功用在於恢復该金属因冷加工而降低的性質，增加柔軟性、延性和韌性，並釋放內部殘留應力、以及產生特定的顯微結構 ...
半導體製程的回火（anneal)，最主要有兩種方法，1. 爐管回火（furnace anneal），2. 快速熱回火: RTA （rapid thermal anneal)。 兩者間主要差別在於爐管回火可同時 應用在多批晶圓（batch)，而RTA是單片（single wafer）製程。但是爐管回火每批需長 達數小時，而RTP每片wafer只需數分鐘。 而回火主要的功用在於1. 植入離子活化2.
離子植入法可以精確的調整摻質在晶片裡的含量(即濃度)以外，因為它也能控制摻質在晶片內的表面分佈情形，尤其是深度及橫向濃度的掌握，因此已成為半導體摻雜製程的主力。不過，因為經離子植入之後的晶片還要送入熱爐管內進行高溫回火，雖然 ...
賀!本系林彥亨教授共同指導學生楊雅雯參加2011生物醫學工程科技研討會獲壁報論文特優獎 賀!本系林彥亨教授指導學生王世豪參加第十五屆奈米工程暨微系統技術研討會獲大會最佳 ...
志聖工業股份有限公司 成立於1966 年，以光與熱的核心技術專業研發並製造各產業用生產設備。我們積極投入以電漿製程、紫外光製程、熱製程、壓膜塗佈/奈米壓印製程及濕製程等五大核心技術為基礎的專業設備研究，且不斷開發出領先業界的領導產品。
奈米 元件研究重點 前瞻元件研究重點 研究成果及重大突破 技術推廣 先進元件製程服務平台 專利技術 產學合作 技術服務 自行操作服務(學界) 委託代工服務(學界 ...
本公司研究團隊於工研院時期發表在功率元件最大型之國際研討會議論文。此論文展現低成本方式達成高耐壓之TMBS二極體元件. 2014. Simulation and Characteristics of 4H-SiC ... 講題：電動車高功率元件技術/ 瀚薪科技李傳英總經理. •2013(第八屆)經台汽車電子論壇- 汽車電子技術研究與產業合作論壇. •主辦單位：台灣區電機電子 ...
