傑閎資訊經由紀易志開業於新北市土城區廣興街32號1樓已有6年4個月(2013-06-25),開立統編:30363984提供消費者電腦設備安裝業|電腦及事務性機器設備零售業|資訊軟體零售業各種商品·技術·服務。…
TLP傳輸線脈衝產生器(Transmission Line Pulse)，可針對ESD保護元件的電特性進行量測與驗證。原理為將測試脈衝(TLP)加到被測元件( DUT)，步驟為:1對電路中的傳輸線路充電 2. 傳輸線路對DUT放電 。此測試將從小電壓脈衝開始，加大電壓到此DUT失效為止。
技術原理 材料經由帶有能量的入射離子轟擊而產生二次離子，二次離子經加速後進入二次離子質譜分析系統運用電、磁場的偏轉將離子按不同質量分開，而達到成份分析的目的。二次離子強度經過轉換可得到元素的濃度，而離子轟擊時間，可轉換成雜質 ...
資訊安全目標： （1）實體入侵成功事件不得發生。 （2）網路入侵成功事件包括駭客攻擊、木馬或病毒感染等一年不超過3次。 （3）電腦機房的電異常造中斷超過4小時以上事件一 ...
半導體製程利用離子植入 離子擴散方式，進行電流大小控制與P/N電性調變，如何精準計算摻入數量與深度 LED磊晶摻入雜質原子，形成P/N type，如何得知摻入數量 與身為晶圓/LED製程工程師的您分享，得知P/N 離子濃度分佈的絕佳利器，二次離子質譜分析 ...
... tools including field emission transmission electron microscopes (FE-TEM) equipped with various analytical functions /EDX/EELS/HAADF), Focused Ion Beam ...
HOME > 分析机能和原理 > 表面分析 > 二次离子质谱法(SIMS) ... 将离子（通常是Cs+或是O2+)照射固体表面，伴随溅射（样品中的构成原子被释放到真空中的现象） ...
樣品通過使用一次離子（通常是O或者Cs）來進行濺射/蝕刻，在濺射過程中形成的二次離子可以利用質譜儀（通常是四極矩或者磁性分析器）來進行提取和分析。二次 ...
為了將時間軸轉換為深度，SIMS分析師會使用表面輪廓儀測量濺射坑的深度。表面輪廓儀是一種單獨的儀器，通過沿著坑面拖拽探針，就可以確定其深度並記錄其垂直 ...
控制一次離子束撞擊樣品表面，提供微量分析，以及測定元素在微觀尺度上的橫向分佈。在SIMS分析中，樣品表面會被緩慢地濺射消失。在濺射過程中持續分析所產生 ...
後來，從離子源中提取離子並將它們加速傳送到樣品的實驗，產生第一個SIMS一次離子束。第一個SIMS設備是在1960年代初，由美國NASA建造，用來分析月球岩石。
