有機金屬化學气相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。 其他類似的名稱如：MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)、OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition)等等，其中的前兩個字母"MO" 或 ...
有機金屬氣象沉積(MOCVD). 原理：. 利用在反應爐中通入欲化合元素與有. 機根所形成的氣體，使其在基板產生. 化學反應並形成想得到的材料薄膜。 說明：. 1. 常用來提供第三族元素(鋁、鎵和銦) 來源. 的有機化合物. 有機化合物為：. (1) 三甲基鋁(Trimethyl-Aluminum ，簡稱. TMAl或TMA). (2) 三甲基鎵(Ttrimethyl-Gallium ，簡稱.
E. Incandescent / Halogen. Compact fluorescent. White LED @ 300 mA. 2000. 2005. 2010. 2015. 2020. 0. Incandescent / Halogen. Year. Source: Nichia/Cree. Year ... 有機金屬化學氣相沉積. Page 17. MOCVD製程上膜形成過程. (i)反應氣體或反應元素因熱裂解由邊界層(boundary layer)向基板表面輸送. 氣相擴散入射原子衝撞&nb
其中的前兩個字母 "MO" 或是 "OM" ，指的是半導體薄膜成長過程中所採用的反應源 (precusor) 為金屬化合物 ... 反應源可以分成兩種，第一種是有機金屬反應源，第二種是氫化物氣體反應源。有機金屬反應源儲藏在一個具有兩個聯外管路的密封不鏽鋼 ...
氣體在晶片表面的濃度，將因化學反應 的消耗而比主氣流內 的濃度還低。高濃度端的氣體分子將向低濃度端擴散，以平 ... 由5個串聯的步驟所形成，其反應速率快慢 取決於最慢的一項，主要是反應物的擴散及CVD的化學反應。 當反應溫度較低時，CVD將為 ...
原理 本徵半導體 雜質半導體 能帶結構 導帶 價帶 能隙 載子 電子 電洞 施體 受體 ... 站的全部文字在創作共用 姓名標示-相同方式分享 3.0 協議 之條款下提供，附加條款亦可能應用 ...
金屬有機化學氣相沉積(Metal Organic Chemical. Vapor Phase Deposition，簡稱MOCVD)是一種複雜的晶. 體成長方式，它已經普遍運用在發光二極體(LED)、雷射.
2017年1月11日 - 科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來，目前在生產線上用來成長磊晶最常用的方法就是使用「有機金屬 ...
EPIK 868 MOCVD系統讓每片晶圓能省下多達20% 的成本，且結合了最佳操作運行時間、低維護成本、同級最佳晶圓均勻性，以及比競爭系統的足跡效率多上1.6 倍的 ...
簡述LED晶片生產過程與何謂MOCVD？ 2007-09-06 12:11 [編輯：lucychang]. LED晶圓（外延片） LED晶片產生前的LED晶圓磊晶生長的基本原理是：在一塊加熱至 ...
