有機金屬氣象沉積(MOCVD). 原理：. 利用在反應爐中通入欲化合元素與有. 機根所形成的氣體，使其在基板產生. 化學反應並形成想得到的材料薄膜。 說明：. 1. 常用來提供第三族元素(鋁、鎵和銦) 來源. 的有機化合物. 有機化合物為：. (1) 三甲基鋁(Trimethyl-Aluminum ，簡稱. TMAl或TMA). (2) 三甲基鎵(Ttrimethyl-Gallium ，簡稱.
其中的前兩個字母 "MO" 或是 "OM" ，指的是半導體薄膜成長過程中所採用的反應源 (precusor) 為金屬化合物 ... 反應源可以分成兩種，第一種是有機金屬反應源，第二種是氫化物氣體反應源。有機金屬反應源儲藏在一個具有兩個聯外管路的密封不鏽鋼 ...
金屬有機化學氣相沉積(Metal Organic Chemical. Vapor Phase Deposition，簡稱MOCVD)是一種複雜的晶. 體成長方式，它已經普遍運用在發光二極體(LED)、雷射.
2017年1月11日 - 科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來，目前在生產線上用來成長磊晶最常用的方法就是使用「有機金屬 ...
EPIK 868 MOCVD系統讓每片晶圓能省下多達20% 的成本，且結合了最佳操作運行時間、低維護成本、同級最佳晶圓均勻性，以及比競爭系統的足跡效率多上1.6 倍的 ...
簡述LED晶片生產過程與何謂MOCVD？ 2007-09-06 12:11 [編輯：lucychang]. LED晶圓（外延片） LED晶片產生前的LED晶圓磊晶生長的基本原理是：在一塊加熱至 ...
非極性GaN系量子構造の有機金属化学気相 エピタキシー(MOVPE) 成長とデバイス化 . Metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) of nonpolar. III-nitride quantum ...
有機金屬化學气相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是 在基板上成長半導體薄膜的一種方法。 其他類似的名稱如：MOVPE ...
2017年1月11日 ... 科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來， 一般半導體產業最常用來支撐薄膜的基板是矽晶圓，但是要在矽晶 ...
2017年1月11日 ... 科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來， 一般半導體產業最常用來支撐薄膜的基板是矽晶圓，但是要在矽晶 ...
